上海2017年9月25日電 /美通社/ -- 2017年9月25日，作為中國領(lǐng)先的射頻及混合信號芯片供應(yīng)商，銳迪科微電子（以下簡稱“RDA”）今日宣布推出首款國產(chǎn)LTE射頻功率放大器與濾波器集成產(chǎn)品RPF5401，助力中移動B41高功率終端（以下簡稱“HPUE”）的普及。
B41具有2496~2690MHz的較寬頻帶，因此能快速傳輸移動數(shù)據(jù)。但由于高頻傳輸?shù)乃p更大，所以高頻段的覆蓋范圍明顯低于中低頻段；同時由于調(diào)制和發(fā)射功率的原因，終端發(fā)射的覆蓋范圍也明顯低于接收的覆蓋范圍。增大終端的發(fā)射功率，可以提供更完美的網(wǎng)絡(luò)覆蓋和用戶體驗。移動通信國際標(biāo)準(zhǔn)組織3GPP聯(lián)合中移動、Sprint等運營商推出Power Class 2的終端標(biāo)準(zhǔn)，稱為HPUE。與傳統(tǒng)TD-LTE設(shè)備相比，HPUE功率增大3dB，覆蓋范圍增大30%，覆蓋效果接近中低頻段，不但可以優(yōu)化通信基礎(chǔ)設(shè)備的投資，還能提高基站邊緣位置的終端用戶體驗。在中移動等運營商積極推進下，預(yù)計明年會有更多的終端將會支持HPUE。
HPUE是目前蜂窩通信射頻前端領(lǐng)域最有挑戰(zhàn)的技術(shù)之一，之前只被少數(shù)歐美企業(yè)掌握。RPF5401要在B41提高一倍的發(fā)射功率，同時控制功耗水平，具有相當(dāng)?shù)难邪l(fā)難度。RPF540可同時支持B38、B40、B41和B7，并且集成B40和B41的濾波器，既能滿足客戶的基本需求，又具有相應(yīng)的靈活性。封裝尺寸為3mm*4mm，采用先進的GaAs 倒裝PA技術(shù)，不僅散熱效果更好，發(fā)射功率也更高。高度集成的設(shè)計能夠降低步線損耗，使PA和Filter的阻抗關(guān)系達到最優(yōu)。RPF5401僅針對高頻段優(yōu)化集成，既支持B41 的Class 2要求，又確保成本方面具有優(yōu)勢。作為本土第一款PA濾波器集成產(chǎn)品、本土第一款量產(chǎn)的GaAs PA倒裝產(chǎn)品、本土第一款支持B41 HPUE的射頻芯片， RPF5401的推出成為國產(chǎn)射頻前端芯片的一個重要里程碑。
“RDA推出國產(chǎn)首款‘PA+Filter’集成芯片，突破目前射頻前端最有挑戰(zhàn)的HPUE技術(shù)，進一步了縮小與國際領(lǐng)先企業(yè)間的差距，這反映了RDA緊追國際一流水平付出的不懈努力，”RDA 董事長李力游博士表示，“未來5G技術(shù)普遍頻段較高， HPUE將會進一步普及，市場前景非?？春?，HPUE技術(shù)的成功國產(chǎn)化具有非常重要的長期意義。”
