北京2018年4月20日電 /美通社/ -- 德州儀器(TI)(NASDAQ:TXN)近日宣布推出兩款新型高速氮化鎵(GaN)場效應(yīng)晶體管(FET)驅(qū)動器,進一步擴展了其業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的GaN電源產(chǎn)品組合,可在激光雷達(LIDAR)以及5G射頻(RF)包絡(luò)追蹤等速度關(guān)鍵應(yīng)用中實現(xiàn)更高效、性能更高的設(shè)計。LMG1020和LMG1210可在提供50 MHz的開關(guān)頻率的同時提高效率,并可實現(xiàn)以往硅MOSFET無法實現(xiàn)的5倍更小尺寸解決方案。欲了解更多信息,請訪問www.ti.com.cn/lmg1020-pr-cn和www.ti.com.cn/lmg1210-pr-cn.。
憑借業(yè)內(nèi)較佳的驅(qū)動速度以及1 ns的最小脈沖寬度,LMG1020 60-MHz低側(cè)GaN驅(qū)動器可在工業(yè)LIDAR應(yīng)用中使用高精度激光器。小型晶圓級芯片(WCSP)封裝尺寸僅為0.8 mm x 1.2 mm,有助于較大限度地減少柵極環(huán)路寄生和損耗,進一步提升效率。
LMG1210是一款50-MHz半橋驅(qū)動器,專為高達200V的GaN場效應(yīng)晶體管而設(shè)計。該器件的可調(diào)死區(qū)時間控制功能能夠?qū)⒏咚貲C / DC轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動器、D類音頻放大器及其它功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用效率提高多達5%。設(shè)計人員可利用超過300 V / ns的業(yè)內(nèi)較高共模瞬態(tài)抗擾度(CMTI)實現(xiàn)較高的系統(tǒng)抗噪聲能力。
LMG1020和LMG1210的主要特點和優(yōu)勢
TI GaN產(chǎn)品的優(yōu)勢
LMG1020和LMG1210是業(yè)界較大的GaN電源產(chǎn)品組合中的最新成員,從200V驅(qū)動器到80V和600V功率級。憑借超過1,000萬小時的GaN工藝可靠性測試,TI提供可靠的GaN產(chǎn)品以滿足對成熟和即用型解決方案的需求,為GaN技術(shù)帶來數(shù)十年的硅制造專業(yè)技術(shù)和高級器件開發(fā)人才。
在APEC上參觀TI展臺
TI將于當?shù)貢r間2018年3月4日至8日參展在得克薩斯州圣安東尼奧市舉行的美國國際電力電子應(yīng)用展覽會(APEC),并展示其廣泛的GaN產(chǎn)品組合以及GaN技術(shù)。
加快設(shè)計所需的支持和工具
設(shè)計人員可以使用LMG1020EVM-006和LMG1210EVM-012評估模塊和SPICE模型快速輕松地評估這些新器件。工程師可以利用LIDAR的納秒激光驅(qū)動器參考設(shè)計和高速DC / DC轉(zhuǎn)換器的多兆赫GaN功率級參考設(shè)計,快速開始他們的氮化鎵設(shè)計。
封裝和供貨情況
LMG1020和LMG1210的原型樣品現(xiàn)已在TI商店和公司的授權(quán)分銷網(wǎng)絡(luò)上提供。 LMG1020采用WCSP封裝,而LMG1210采用四方扁平無引腳(QFN)封裝。
其他資源
關(guān)于德州儀器 (TI)
德州儀器 (TI)是一家全球性半導體設(shè)計制造公司,始終致力于模擬IC及嵌入式處理器開發(fā)。TI 擁有全球頂尖人才,銳意創(chuàng)新,塑造技術(shù)行業(yè)未來。今天,TI 正攜手超過10 萬家客戶打造更美好未來。更多詳情,敬請查閱http://www.ti.com.cn。
商標
TI E2E是德州儀器(TI)的商標。所有其它商標均歸其各自所有者專屬。