韓國首爾2021年2月26日 /美通社/ -- 今年4月，三星半導體將為中國數(shù)據(jù)中心客戶提供一款新一代高性能固態(tài)硬盤 -- PM9A3 U.2。PM9A3 U.2支持PCIe 4.0，是三星半導體專為中國數(shù)據(jù)中心客戶打造，此舉彰顯了三星半導體計劃進一步加強與中國企業(yè)合作的決心。
三星半導體發(fā)布為中國數(shù)據(jù)中心客戶打造的新款高性能固態(tài)硬盤
PM9A3 U.2支持PCIe 4.0，是三星半導體專為中國數(shù)據(jù)中心客戶打造，此舉彰顯了三星半導體計劃進一步加強與中國企業(yè)合作的決心。
PM9A3 U.2使用三星第六代3D閃存（V-NAND）技術，基于NVMe協(xié)議，完全符合開放計算項目（OCP）NVMe 云端固態(tài)硬盤規(guī)范，并能根據(jù)數(shù)據(jù)中心需求，在性能、電源效率、可靠性、安全性等方面，提供高級別的解決方案。
值得一提的是，在目前已量產(chǎn)的數(shù)據(jù)中心級固態(tài)硬盤產(chǎn)品中，PM9A3 U.2 實現(xiàn)了更高級別的隨機寫入性能，可滿足中國客戶的需求，更低的能耗有利于數(shù)據(jù)中心節(jié)省運營成本，有助于減少碳排放。
PM9A3 U.2搭載了支持PCIe 4.0技術的的全新控制器和三星第六代3D閃存（V-NAND）技術，并通過固件優(yōu)化實現(xiàn)了200K IOPS的穩(wěn)態(tài)隨機寫入性能，同比上一代產(chǎn)品PM983 U.2提升了4倍。
對中國運營數(shù)據(jù)中心的科技企業(yè)而言，隨機寫入速度尤為重要，相信PM9A3U.2出色的表現(xiàn)，能很好地滿足這些客戶的需求。
另外，PM9A3 U.2的4K穩(wěn)態(tài)隨機讀取性能為1100K IOPS，順序讀取速度為6900MB/s，相對上一代產(chǎn)品PM983 U.2分別提升2.2倍和2.16倍；并且，在每瓦304MB/s的順序寫入性能表現(xiàn)中，與前代產(chǎn)品相比，能效比提高了61％。
三星半導體存儲市場部總經(jīng)理鄭光熙先生（音譯）表示：“PM9A3 U.2是三星首個采用第六代3D閃存（V-NAND）技術并支持 PCIe4.0的NVMe固態(tài)硬盤產(chǎn)品，符合中國數(shù)據(jù)中心客戶運營所需的特定性能和功耗配置，我們期待著它成為中國數(shù)據(jù)中心客戶的極佳解決方案?！?/p>
從量產(chǎn)PM9A3 U.2開始，三星半導體將繼續(xù)加強與全球數(shù)據(jù)中心客戶合作，不斷推進新一代存儲技術的發(fā)展和標準化，以迎接全面開放的5G時代和不斷變化的生活方式。
性能和功耗數(shù)據(jù)基于三星內(nèi)部測量結果并符合以下條件：
1）性能
隨機性能測試工具使用的是FIO 2.1.3。操作系統(tǒng)為Linux RHEL 6.6（內(nèi)核3.14.29），數(shù)據(jù)塊大小為4KB（4,096字節(jié)），隊列深度32，4個測試線程；順序性能塊大小為128KB（131072字節(jié)），隊列深度為32，1個測試線程。實際性能可能會因使用條件和環(huán)境而異。
2) 功耗
功耗是通過SSD中連接器插頭的12V電源引腳測量的。 活動功耗和空閑功耗定義為最高平均功率，即在100毫秒持續(xù)時間內(nèi)的最大RMS平均值。 活動功耗的測量條件假定為100%順序讀寫。
注釋：
SSD：固態(tài)硬盤， RMS：均方根， NVMe：非易失性內(nèi)存，
IOPS：每秒讀寫次數(shù)，MB/s：百萬字節(jié)/秒
PCIe：高速串行計算機擴展總線標準
免責聲明：
*產(chǎn)品圖片以及型號、數(shù)據(jù)、功能、性能、規(guī)格參數(shù)等僅供參考，三星電子有可能對上述內(nèi)容進行改進，具體信息請參照產(chǎn)品實物、產(chǎn)品說明書。除非經(jīng)特殊說明，本網(wǎng)站中所涉及的數(shù)據(jù)均為三星電子內(nèi)部測試結果，所涉及的對比，均為與三星電子傳統(tǒng)產(chǎn)品相比較。
