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韓國(guó)首爾2024年6月19日 /美通社/ -- 韓國(guó)8英寸晶圓代工廠SK啟方半導(dǎo)體（SK keyfoundry）今日宣布，已確保新一代功率半導(dǎo)體GaN（氮化鎵）的關(guān)鍵器件特性。公司正在加大GaN的開(kāi)發(fā)力度，力爭(zhēng)在年內(nèi)完成開(kāi)發(fā)工作。
SK啟方半導(dǎo)體持續(xù)關(guān)注著GaN功率半導(dǎo)體的市場(chǎng)和潛力。為此，公司于2022年成立了一個(gè)專職團(tuán)隊(duì)來(lái)推動(dòng)GaN工藝的開(kāi)發(fā)。日前，公司已得到650V GaN HEMT的新器件特性，并計(jì)劃在今年年底完成開(kāi)發(fā)工作。
由于650V GaN HEMT具有較高的功率效率，因此與硅基產(chǎn)品相比，可以降低散熱器的成本。也正因如此，與硅基產(chǎn)品相比，終端客戶系統(tǒng)的價(jià)格差異較小。該公司預(yù)計(jì)，硅基650V產(chǎn)品將為快速充電適配器、LED照明、數(shù)據(jù)中心和ESS以及太陽(yáng)能微型逆變器等市場(chǎng)的無(wú)晶圓廠客戶帶來(lái)開(kāi)發(fā)優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品的優(yōu)勢(shì)。除了爭(zhēng)取新客戶外，SK啟方半導(dǎo)體還計(jì)劃積極向對(duì)650V GaN HEMT技術(shù)感興趣的現(xiàn)有功率半導(dǎo)體工藝客戶推廣該技術(shù)。
GaN具有高速開(kāi)關(guān)、低導(dǎo)通電阻等特性，與硅基半導(dǎo)體相比，具備低損耗、高效率和小型化的優(yōu)越特性，因此被稱為新一代功率半導(dǎo)體。據(jù)市場(chǎng)調(diào)研公司OMDIA預(yù)測(cè)，GaN功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將以33%的復(fù)合年增長(zhǎng)率增長(zhǎng)，從2023年的5億美元增至2032年的64億美元，主要用于電源、混合動(dòng)力、電動(dòng)汽車以及太陽(yáng)能逆變器。
SK啟方半導(dǎo)體表示，公司計(jì)劃以650V GaN HEMT為基礎(chǔ)，打造GaN產(chǎn)品組合，可為GaN HEMT和GaN IC提供多種電壓支持。
SK啟方半導(dǎo)體首席執(zhí)行官Derek D. Lee表示："除了具有競(jìng)爭(zhēng)力的高壓BCD外，我們還在為下一代功率半導(dǎo)體做準(zhǔn)備。我們還將擴(kuò)大功率半導(dǎo)體產(chǎn)品組合，未來(lái)除GaN以外，還將開(kāi)發(fā)SiC（碳化硅），以確立我們作為專業(yè)功率半導(dǎo)體代工廠的地位。"
